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第一篇 硅功率元件的一般介绍
第一章 硅整流元件
1.1 硅整流元件的整流特性
1.2 硅整流元件的特性参数
1.2.1 正向电流
1.2.2 正向压降
1.2.3 反向电流
1.2.4 反向击穿电压
第二章 可控硅整流元件
2.1 可控硅整流元件的工作原理
2.2 可控硅整流元件的特性参数
2.2.1 正向电流
2.2.2 正向转折电压与反向击穿电压
2.2.3 正向压降
2.2.4 开关特性
2.3 各项参数的综合考虑
第三章 可控硅整流元件的派生元件及触发元件
3.1 可控硅整流元件的派生元件
3.1.1 可关断可控整流元件（GTO）
3.1.2 P-X-P-N光开关（光可控元件）
3.1.3 硅双向元件
3.1.5 反向导通可控硅元件
3.1.4 可控硅开关（SCS）
3.2.1 单结晶体管（UJT）
3.2.2 互补单结晶体管（CUJT）
3.2 触发元件
3.2.3 P-N-P-X开关二极管
3.2.4 硅触发二极管（Diac）
3.2.5 硅单向开关（SUS）
3.2.6 硅双向开关（SBS）
4.1 硅整流元件的管芯工艺
4.1.2 扩散-合金法
4.1.1 合金法
第四章 管芯工艺概貌
第二篇 管芯工艺
4.1.3 全扩散法
4.2 可控硅整流元件的管芯工艺
4.2.1 扩散-合金法
4.2.2 全扩散法
4.2.3 外延法
第五章 硅片的机械加工
5.1 硅棒切片
5.2 硅片割圆
5.3 硅片研磨
5.4 硅片抛光
6.1 硅的腐蚀
第六章 材料的清洁处理及腐蚀
6.2 硅扩散片的电解腐蚀
6.3 常用金属及合金的腐蚀
6.4 玻璃器皿的清洁处理
6.5 石英器皿的清洁处理
6.6 石墨模具的清洁处理
6.7 钼片的清洁处理
第七章 扩散
7.1 概述
7.2 常用的几种扩散方式
7.2.1 闭管扩散
7.2.3 涂层扩散
7.2.2 载运气体扩散（开管扩散）
7.2.4 箱法扩散
7.2.5 二步扩散法
7.3 硅的扩散技术
7.3.1 P型杂质的扩散
7.3.2 N型杂质的扩散
7.3.3 两种杂质同时扩散
7.3.4 其他杂质的扩散及吸收
7.4 扩散参数
7.4.1 影响结深的一些因素
7.4.2 表面杂质浓度
7.4.3 扩散系数与硅基片杂质浓度和表面浓度的关系
7.5 结深及表面杂质浓度的测定
7.5.1 结深的测定
7.4.4 扩散层的电学特性
7.5.2 表面浓度的计算及测量
第八章 氧化与光刻
8.1 硅片的氧化
8.1.1 杂质在二氧化硅中的扩散系数
8.1.2 硼、磷扩散时二氧化硅层的掩蔽作用
8.1.3 二氧化硅层的生长方法
8.1.4 热氧化引起杂质再分布
8.1.5 氧化层测量与检查
8.2.1 光刻胶
8.2 光刻
8.2.2 二氧化硅腐蚀
8.2.3 光刻时蒸发铝膜的腐蚀
第九章 合金
9.1 相图
9.1.1 相图的一般特性
9.1.2 硅的二元相图
9.1.3 其他常用二元相图
9.2 合金P-N结
9.3 合金欧姆接触
9.4 合金材料
9.4.1 p-N结合金材料和欧姆接触合金材料
9.5 合金温度（烧结温度）
9.4.2 管芯焊接常用合金材料
9.6 合金深度（结深）的计算
9.7 合金结深度的测量
第十章 电镀与蒸发镀膜
10.1 电镀与化学镀
10.1.1 硅片镀镍
10.1.2 钼片镀镍
10.1.3 钼片镀银
10.1.4 管壳及钢件镀镍
10.1.5 管壳及钢件镀铬
10.2 蒸发镀膜
10.2.2 真空加热蒸发
10.2.1 电子束蒸发
第十一章 表面处理和保护
11.1 表面处理
11.1.1 磨角
11.1.2 表面化学腐蚀
11.2 表面保护
11.2.1 溅射二氧化硅保护膜
11.2.2 氢氟酸-硝酸系蒸气形成氧化保护膜
11.2.3 酸蒸气处理后追加有机硅烷处理形成钝化膜
11.2.4 表面保护涂敷物
12.1 管壳结构和工艺概貌
第十二章 管壳结构及制造工艺
第三篇 管壳及散热器
12.2 管壳设计的一般要求
12.3 管壳零部件的设计及加工
12.3.1 底座
12.3.2 内引线的断面积和形状
12.3.3 外引线的断面积和形状
12.3.4 引入体（管帽）
12.4 引入体金属与非金属的封接
12.4.1 陶瓷与金属封接
12.4.2 玻璃与金属封接
12.5 底座与引入体的封接
12.4.3 塑料封装
第十三章 散热器
13.1 设计的一般考虑
13.2 材料的选择及加工
13.2.1 材料的选择
13.2.2 加工
第四篇 硅功率元件的测试
第十四章 测试方法一般介绍
14.1 直流法
14.2 全动态法
14.3 半动态法
14.4 电表直接读数法
14.6 光点跟迹法
14.5 示波器直接读数法
第十五章 硅整流元件的测试
15.1 正向电压降及结温升的测试
15.1.1 结温升的测试
15.1.2 正向电压降的测试
15.2 反向伏-安特性的测试
15.2.1 硬特性元件的测试
15.2.2 软特性元件的测试
15.2.3 异常特性元件的测试
第十六章 可控硅整流元件的测试
16.1 正、反向伏-安特性（阻断状态）的测试
16.2.1 触发线路
16.2 正向电压降及结温升的测试
16.2.2 热敏电流的选取
16.2.3 全动态法测量热敏电压降
16.3 控制极特性的测试
16.4 维持电流的测试
16.5 开关时间、电压上升率、电流上升率的测试
16.5.1 基本定义
16.5.2 测试方法
第十七章 硅双向可控元件的测试
17.1 伏-安特性的测试
17.2 控制极特性的测试
附1.1.1 硅的各种性质
附1.1 常用材料的性质
附录一 常用材料的性质及它的安全使用
附录
附1.1.2 杂质元素在硅中的性质
附1.1.3 常用元素的主要性质
附1.1.4 常用气体的基本物理化学性质及其纯化材料
附1.1.5 低温材料
附1.1.6 真空材料
附1.1.7 电热材料
附1.1.8 磨料
附1.1.9 玻璃与石英玻璃
附1.1.10 树脂
附1.1.11 塑料
附1.1.12 有机硅高聚合物
附1.1.13 常用化学试剂
附1.1.14 离子交换树脂
附1.1.15 去离子水
附1.1.16 王水
附1.1.17 洗液
附1.2 常用材料的安全使用
附1.2.1 有机溶液的安全使用
附1.2.2 酸和硷的安全使用及急救
附1.2.3 气体的安全使用
附录二 热电偶温度-毫伏当量表
附录三 三角函数表及余误差函数表
附录四 硅功率元件实用测试线路图