目录

第一章 半导体中的电子状态
-- §1．能带的形成
-- §2．电子在外力下的运动和有效质量
-- §3．导带、满带和空穴
-- §4．杂质和缺陷能级
-- 第一章参考文献
第二章 电子和空穴的统计分布
-- §5．费米能级和电子的统计分布
-- §6．本征激发和杂质电离
-- §7．普遍情况下统计分布的分析
-- §8．载流子的简并化
-- §9．化学势和质量作用定律
-- 第二章参考文献
第三章 电磁场中的迁移现象
-- §10．载流子的散射
-- §11．电导的简单分析
-- §12．霍耳效应的简单分析
-- §13．简单分析的局限性和结果的修正
-- §14．电导率的统计理论
-- §15．迁移率
-- §16．一种载流子霍耳效应的统计理论
-- §17．两种载流子的霍耳系数
-- §18．半导体的磁阻
-- §19．实验结果与半导体某些物理量的测定
-- §20．低温的霍耳效应和电导
-- 第三章参考文献
第四章 半导体的热导率、温差电现象和热磁效应
-- §21．热传导
-- §22．温差电现象的一般描述和热力学关系
-- §23．半导体的温差电动势率
-- §24．电能与热能的转换，温差电发电机，致冷器与发热器
-- §25．热磁效应
-- 第四章参考文献
第五章 非平衡载流子
-- §26．少数载流子的注入和检验
-- §27．寿命和测量方法
-- §28．非平衡载流子的扩散
-- §29．光扩散电势差和光磁效应
-- §30．表面对寿命的影响
-- §31．非平衡载流子的漂移和扩散
-- §32．复合过程的性质和直接复合的理论
-- §33．复合中心理论
-- §34．陷阱效应
-- 第五章参考文献
第六章 半导体表面
-- §35．外电场(或附着电荷)和表面势
-- §36．功函数和接触电势
-- §37．表面电导和场效应
-- §38．表面能级
-- §39．表面结构和表面过程的弛豫现象
-- 第六章参考文献
第七章 半导体和金属的接触
-- §40．接触势垒
-- §41．扩散理论和伏-安特性曲线
-- §42．两极管理论
-- §43．理论的检验和修正
-- §44．阻挡层中非平衡载流子效应
-- 第七章参考文献
-- §45．P-n结的势垒和伏-安特性
第八章 P-n结
-- §46．P-n结的电容
-- §47．电击穿现象
-- 第八章参考文献
第九章 半导体中光的吸收
-- §48．本征吸收
-- §49．其它的吸收过程
-- §50．晶格振动对电子跃迁的影响
-- 第九章参考文献
-- §51．半导体的光电导
第十章 光电导
-- §52．直线性和抛物线性光电导
-- §53．复合和陷阱作用
-- §54．本征光电导的光谱分布
-- §55．杂质光电导
-- 第十章参考文献
-- 附录Ⅰ
-- 附录Ⅱ
-- 附录Ⅲ
-- 附录Ⅳ
-- 附录Ⅴ