硅可控整流器与硅整流器设计工艺手册
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第一章 硅可控整流元件及硅整流元件的一般介绍
- 图1.2 硅整流元件的管芯
图表一览表
- 图1.1 硅整流元件的管芯基本结构、符号、及电压--电流特性
- 1.1.1 硅整流元件的整流特性
- 1.1 硅整流元件
- 图1.3 PN结空间电荷区
- 正向压降
- 1.1.2 硅整流元件的特性参数
- 正向电流
- 图1.5 少数载流子复合情况
- 图1.4 势垒电压与电流的关系
- 反向电流
- 反向击穿
- 图1.6 雪崩型硅整流元件制造工艺流程
- 图1.7 硅可控整流元件管芯结构，符号及电压--电流特性
- 1.2.1 硅可控整流元件的工作原理
- 1.2 硅可控整流元件
- 图1.9 二端P N P N器件的电流--电压特性
- 图1.8 二端P N P N器件示意图
- 图1.11 α与I关系曲线
- 图1.10 加以正电压时，电流流动情况
- 图1.13 硅可控元件整流元件伏安特性
- 图1.12 硅可控整流元件的正向联接
- 图1.14 载流子在硅可控整流元件中流动情况
- 硅可控整流元件的电流容量
- 1.2.2 硅可控整流元件的参数
- 电压容量
- 图1.15 发射极短路后α-I关系曲线
- 图1.17 短路发射极结构的硅可控整流元件中横向压降效应
- 图1.16 短路发射极结构的硅可控整流元件
- 图1.18 短路发射极常用结构示意图
- 正向电压降
- 图1.20 硅可控整流元件浓度分布
- 图1.19 环状发射极短路结构的硅可控整流元件
- 图1.21 实际的结构图
- 开关特性
- 图1.22 提高？的几种结构
- 图1.23 提高？合金扩散法的结构改进
- 图1.24 开关损耗(а)开通时的电流、电压及功率损耗的波形
- 1.3 结构及工艺
- 1.3.1 硅可控整流元件的结构
- (b)关闭时的电流、电压及功率损耗的波形
- 图1.25 硅可控整流元件的结构
- 1.3.2 硅可控整流元件的管芯工艺
- 扩散合金法
- 双扩散法
- 图1.26 扩散--合金法硅可控整流元件工艺流程图
- (b)可关断可控整流元件的工艺流程
- 图1.27 (а)双扩散法硅可控整流元件工艺流程
- 外延法
- 附：若干问题的说明
- 硅可控整流元件的转折电压与其温度特性
- 附图1.1 P N P N硅可控整流元件基本结构
- 附图1.3 α随发射极电流与温度而变的曲线
- 附图1.2 硅可控整流元件的等效电路
- 附图1.4 伏安特性与温度的关系
- 附图1.5 Ns=1017原子/厘米3时，缓变结的雪崩击穿电压与基片深度、结深的关系
- 缓变结的雪崩击穿电压
- 附图1.6 Ns=1018原子/厘米3时，缓变结的雪崩击穿电压与基片深度、结深的关系
- 附图1.7 Ns=1019原子/厘米3时，缓变结的雪崩击穿电压与基片深度、结深的关系
- 附图1.8 Ns=10原子/厘米3时，缓变结的雪崩击穿电压与基片深度、结深的关系
- 穿通电压
- 附图1.9 空间电荷区宽度(或基区宽度)与外加电压(或穿通电压)的关系以及结电容与反向电压的关系
- 附图1.10 ？在3×10-3到3×10-2范围内缓变结的空间电荷区宽度(或基区宽度)与电压或穿通电压的关系；结电容与电压的关系
- 附图1.11 ？在3×10-4到3×10-3范围内缓变结的空间电荷区宽度(或基区宽度)与电压或穿通电压的关系；结电容与电压的关系
- 附图1.12 ？在3×10-5到3×10-4范围内缓变结的空间电荷区宽度(或基区宽度)与电压或穿通电压的关系；结电容与电压的关系
附图1.13 ？在3×10-6到3×10-5范围内缓变结的空间电荷区宽度(或基区宽度)与电压或穿通电压的关系；结电容与电压的关系
- 附图1.14 ？在3×10-7到3×10-6范围内缓变结的空间电荷区宽度(或基区宽度)与电压或穿通电压的关系；结电容与电压的关系
- 附图1.15 ？3×10-8到3×10-7范围内缓变结的空间电荷区宽度(或基区宽度)与电压或穿通电压的关系；结电容与电压的关系
- 附图1.16 杂质分布，X1为空间电荷区向表面方向扩展的厚度
- 附图1.17 ？在3×10-3到3×10-2范围内缓变结向表面方向扩展部份？与外加电压V的关系曲线
- 附图1.18 ？在3×10-4到3×10-3范围内缓变结向表面方向扩展部份？与外加电压V的关系曲线
- 附图1.19 ？在3×10-5到3×10-4范围内缓变结向表面方向扩展部份？与外加电压V的关系曲线
- 附图1.20 ？在3×10-6到3×10-5范围内缓变结向表面方向扩展部份？与外加电压V的关系曲线
- 附图1.21 ？在3×10-7到3×10-6范围内缓变结向表面方向扩展部份？与外加电压V的关系曲线
- 附图1.22 ？在3×10-8到3×10-7范围内缓变结向表面方向扩展部份？与外加电压V的关系曲线
- 附图1.23 P+PNPN+可控整流元件的结构
- 硅可控整流元件的正向压降
- 短路发射极结构
- 附图1.24 短路发射极结构
- 附图1.26 α有效与发射电流的关系
- 附图1.25 短路发射极等效电路
- 附图1.28 P型基区的杂质分布
- 附图1.27 中间点将发射极短路结构
- 附图1.29 Nb=10？厘米-3 Ns2=10？厘米-3 P型基区扩散时，杂质表面浓度与基区平均薄层电导率的关系
- 附图1.30 Nb=2×10？厘米-3 Ns2=10？厘米-3 P型基区扩散时，杂质表面浓度与基区平均薄层电导率的关系
- 附图1.31 Nb=5×10？厘米-3 Ns2=10？厘米-3 P型基区扩散时，杂质表面浓度与基区平均薄层电导率的关系
- 附图1.32 Nb=10？厘米-3 Ns2=10？厘米-3 P型基区扩散时，杂质表面浓度与基区平均薄层电导率的关系
- 附图1.33 Nb=2×10？厘米-3 Ns2=10？厘米-3 P型基区扩散时，杂质表面浓度与基区平均薄层电导率的关系
- 附图1.34 Nb=5×10？厘米-3 Ns2=10？厘米-3 P型基区扩散时，杂质表面浓度与基区平均薄层电导率的关系
- 附图1.35 Nb=10？厘米-3 Ns2=10？厘米-3 P型基区扩散时，杂质表面浓度与基区平均薄层电导率的关系
- 附图1.36 Nb=2×10？厘米-3 Ns2=10？厘米-3 P型基区扩散时，杂质表面浓度与基区平均薄层电导率的关系
- 附图1.37 Nb=5×10？厘米-3 Ns2=10？厘米-3 P型基区扩散时，杂质表面浓度与基区平均薄层电导率的关系
- 附图1.38 Nb=10？厘米-3 Ns2=10？厘米-3 P型基区散时，杂质表面浓度与基区平均薄层电导率的关系
- 附图1.39 Nb=2×10？厘米-3 Ns2=10？厘米-3 P型基区扩散时，杂质表面浓度与基区平均薄层电导率的关系
- 附图1.40 Nb=5×10？厘米-3 Ns2=10？厘米-3 P型基区扩散时，杂质表面浓度与基区平均薄层电导率的关系
- 关断时间问题
- 表2.1 硅的电子性质
第二章 常用材料及材料处理
- 2.1 常用材料
- 2.1.1 硅的物理性质
- 硅的电子性质
- 硅的原子性质
- 硅的机械和光学性质
- 硅的热性质
- 表2.4 硅的热性质
- 表2.3 硅的机械和光学性质
- 表2.2 硅的原子性质
- 表2.5 杂质元素的离子半径及其在硅中的分凝系数
- 杂质元素的离子半径及其在硅中的分凝系统
- 表2.6 杂质元素在硅中的离化能
- 常用气体的基本物理化学常数
- 2.1.3 气体及气体纯化材料
- 杂质元素在硅中的固态溶解度
- 杂质元素在硅中的扩散系统
- 杂质元素在硅中的离化能
- 2.1.2 杂质元素在硅中的性质
- 表2.7 常用气体的基本物理化学常数
- 气体的纯化材料
- 表2.8 干燥剂的性能
- 2.1.4 低温材料
- 表2.9 分子筛的性能
- 2.1.5 真空材料
- 表2.10 常用低温材料的固定温度
- 机械泵油和扩散泵油
- 表2.11 机械泵油和扩散泵油的性能
- 真空封脂、真空封脂、真空封泥
- 表2.12 真空封脂，真空封蜡、真空封泥的性能
- 2.1.6 电热材料
- 表2.13 金属和非金属电热材料的化学成分和性质
- 表2.14 各种电热材料性能综合表
- 2.1.7 磨料
- 表2.15 人造磨料的物理性能
- 表2.16 人造磨料的粒度号数和颗粒尺寸范围
- 人选磨料的粒度号数和颗粒尺寸范围
- 人造磨料的物理性能
- 石英玻璃
- 2.1.8 玻璃与石英玻璃
- 玻璃
- 表2.17 同种典型玻璃的性能
- 2.1.9 树脂
- 表2.18 天然树脂的性能
- 热固性塑料
- 热塑性塑料
- 2.1.10 塑料
- 表2.19 主要合成树脂性能
- 表2.20 几种塑料的性能
- 2.1.11 有机硅高聚物
- 硅油
- 硅脂
- 硅橡胶
- 表2.21 常用树脂的性能
- 表2.23 YG250#、YG255#苯甲基硅油的性能
- 常用化学试剂的性质及用途
- 化学试剂的分类及符号
- 2.1.12 常用化学试剂
- 表2.22 YG274#、275#高真空扩散泵硅油
- 表2.24 酸类
- 表2.26 氧化物
- 表2.25 碱类
- 表2.27 卤化物
- 表2.28 硅化物
- 表2.29 有机溶剂及烷类
- 离子交换树脂去除水中离子的原理
- 2.1.13 离子交换树脂
- 2.1.14 去离子水
- 表2.30 国产离子交换树脂的性能及用途
- 离子交换树脂的选择、混合比、予处理及再生
- 表2.31 变型用化学试剂用量及浓度
- 图2.1 自来水作水源的去离子装置的流程
- 去离子水装置
- 使用注意事项
- 2.1.15 王水
- 2.1.16 洗液
- 图2.2 蒸馏水作水源的去离子装置的流程
- 2.1.17 可伐、杜美丝、优质炭素结构钢
- 2.2 材料处理
- 2.2.1 硅的腐蚀
- 2.2.2 硅扩散片的电解腐蚀
- 图2.3 简易电解槽
- 表2.32 硅的腐蚀液
- 镍--锡相图
- 表2.33 常用金属的腐蚀剂
- 2.2.3 常用金属及合金的腐蚀
- 表2.34 常用合金的腐蚀液
- 2.2.4 玻璃器皿的清洁处理
- 2.2.5 石英器皿的清洁处理
- 2.2.6 石墨模具的清洁处理
- 2.2.7 钼片的清洁处理
- 图3.1 余误差分布与高斯分布曲线
第三章 扩散
- 3.1 表面浓度问题
- 3.1.1 常用的几种扩散方式
- 闭管扩散
- 图3.2 闭管扩散装置
- 载运气体扩散
- 涂层扩散
- 箱法扩散
- 图3.4 涂层扩散装置
- 图3.3 载运气体扩散装置
- 图3.5 箱法扩散装置
- 3.1.2 二次扩散法
- P型杂质扩散
- 3.1.3 硅的扩散技术
- 图3.6 含硼硅粉源闭管扩散装置
- 表3.1 硼源稀释度与表面浓度的关系
- 图3.7 含硼(或磷)硅粉源扩散，硅晶体电阻率与表面浓度的关系
- 图3.8 三氧化二硼载运气体扩散时，源温与表面浓度的关系
- 图3.9 三氧化二硼开管载运气体扩散装置
- 图3.10 三溴化硼载运气体扩散的装置简图
- 图3.12 乙硼烷气扩散装置简图
- 图3.11 三氧化二硼、二氧化硅混合源的箱法扩散
- 图3.14 三套管法闭管扩散
- 图3.13 提高铝扩散表面浓度用的闭管扩散
- 图3.15 用石英条加固石英真空封管
- N型杂质扩散
- 图3.16 用真空闭管法制造含镓扩散源
- 图3.17 五氧化二磷源的载运气体扩散源温与表面浓度的关系
- 图3.18 磷酸二氢铵载运气体扩散
- 图3.19 石英箱简图
- 其它杂质的扩散及吸收
- 图3.20 掺金温度与少数载流子寿命的关系
- 扩散炉的自动恒温
- 图3.21 扩散炉自动恒温方框电路
- 图3.22 杂质在硅中的固态溶解度
- 3.1.4 最大表面浓度--杂质在硅中的固态溶解度
- 表3.2 杂质的最大固态溶解度
- 3.2.2 结深与扩散温度的关系
- 3.2.1 结深与扩散时间的关系
- 3.2 结深问题
- 图3.23 K1值随硅基片杂质浓度与表面浓度之比而变的曲线
- 表3.3 各种杂质在硅中的Do、Eo
- 图3.24 杂质元素在硅中的扩散系统 (a)硼、铝、镓、铟在硅中的扩散系统
- (b)金在硅中的扩散系统
- (c)磷、砷、锑在硅中的扩散系统
- 3.2.3 扩散系数与硅基片掺杂程度和表面浓度之间的关系
- 图3.25 磷扩散系数与硅基片掺杂浓度和表面浓度的关系
- 图3.26 镓的扩散系统
- 图3.27 磨斜角法
- 图3.28 比例法计算结深
- 3.3 结深与表面浓度的测定
- 3.3.1 结深的测定
- 磨斜角及磨槽法
- 染色显示PN结
- 图3.29 圆柱形磨槽法
- 3.3.2 表面浓度的计算及测量
- 表3.4 PN吉染色显示液
- 硅单晶电阻率的测量
- 测定
- 图3.30 四探针测量电阻率的电路
- 薄片电阻率的测量
- 表3.5 测量薄片电阻率的修正因子
- 表3.6 测量薄片电阻率的修正因子
- 表3.7 测量薄片电阻率的修正因子
- 图3.31 硅在室温下电阻率与杂质浓度的关系
- 硅中杂质浓度与电阻率的关系
- 薄层电阻(方块电阻)
- 图3.32 Nb=10？厘米-3 N型余误差分布扩散层的平均电导率
- 扩散层平均电导与表面浓度的关系
- 图3.34 Nb=10？厘米-3 N型余误差分布扩散层的平均电导率
- 图3.33 Nb=10？厘米-3 N型余误差分布扩散层的平均电导率
- 图3.35 Nb=10？厘米-3 N型高斯分布扩散层的平均电导率
- 图3.36 Nb=10？厘米-3 N型高斯分布扩散层的平均电导率
- 图3.38 Nb=10？厘米-3 P型余误差分布扩散层的平均电导率
- 图3.37 Nb=10？厘米-3 N型高斯分布扩散层的平均电导率
- 图3.40 Nb=10？厘米-3 P型余误差分布扩散层的平均电导率
- 图3.39 Nb=10？厘米-3 P型余误差分布扩散层的平均电导率
- 图3.42 Nb=10？厘米-3 P型高斯分布扩散层的平均电导率
- 图3.41 Nb=10？厘米-3 P型高斯分布扩散层的平均电导率
- 图3.43 Nb=10？厘米-3 P型高斯分布扩散层的平均电导率
- 表面浓度的计算
- 4.1.1 杂质在二氧化硅中的扩散系数
- 4.1 硅片的氧化
第四章 氧化与光刻
- 4.1.2 硼、磷扩散时，二氧化硅薄膜的掩蔽作用
- 图4.1 在一定扩散时间，扩散温度下，硼扩散全部掩敝所需的最薄氧化层厚度
- 干氧氧化法
- 图4.2 在一定扩散时间，扩散温度下，磷扩散全部掩敝所需的最薄氧化层厚度
- 4.1.3 二氧化硅膜的生长方法
- 图4.3 干氧氧化的装置示意图
- 图4.4 干氧氧化、氧化层厚度与氧化时间、温度的关系
- 表4.1 湿氧氧化k值与氧化温度的关系
- 湿氧氧化法
- 图4.5 湿氧氧化装置
- 水汽氧化法
- 图4.7 水汽氧化装置
- 图4.6 湿氧氧化、氧化层厚度与氧化时间、温度的关系
- 图4.8 水汽氧化、氧化层厚度与氧化时间、温度的关系
- 热分介沉积氧化层
- 图4.9 热分介有机氧硅烷生长氧化膜的装置
- 表4.2 热氧化生长的二氧化硅膜的特性
- 图4.10 用乙三基乙氧基硅作源的氧化膜生长
- 表4.3 有机氧硅烷的性能
- 4.1.4 可控整流元件制造采用的氧化方法
- 表4.4 各种杂质在硅中的分配系数k值
- 4.1.5 热氧化引起杂质再分布
- 氧化层厚度的测量
- 4.1.6 氧化层测量与检查
- 表4.5 氧化膜厚度与颜色的对照表
- 4.2.1 光刻胶
- 4.2 光刻
- 氧化膜连续性的检查
- 图4.11 干涉法测氧化层厚度的装置示意图
- 图4.12 光刻流程图
- 表4.6 自制光刻胶(负胶)的配方及特性
- 表4.7 进口光刻胶的特性
- 4.2.2 二氧化硅腐蚀
- 表4.8 二氧化硅的腐蚀液配方
- 4.2.3 光刻时蒸发铝膜的腐蚀
第五章 合金
- 5.1 制造合金的常用金属的主要特性
- 5.2 相图
- 5.2.1 相图的一般特性
- 图5.1 说明低共熔点的假设相图
- 图5.3 说明转熔点的假设相图
- 图5.2 说明形成化合物的假设相图
- 图5.4 说明形成固熔体的假设相图
- 5.2.2 硅的二元相图
- 银--硅相图
- 铝--硅相图
- 图5.5 银--硅相图
- 图5.6 铝--硅相图
- 金--硅相图
- 砷--硅相图
- 图5.7 砷--硅相图
- 硼--硅相图
- 图5.8 金--硅相图
- 铋--硅相图
- 图5.9 硼--硅相图
- 图5.10 铋--硅相图
- 铜--硅相图
- 镓--硅相图
- 图5.11 铜--硅相图
- 图5.12 镓--硅相图
- 锗--硅相图
- 图5.13 锗--硅相图
- 钼--硅相图
- 图5.14 钼--硅相图
- 镍--硅相图
- 图5.15 镍--硅相图
- 氧--硅相图
- 图5.16 氧--硅相图
- 图5.17 磷--硅相图
- 磷--硅相图
- 图5.18 钯--硅相图
- 铂--硅相图
- 钯--硅相图
- 图5.19 铂--硅相图
- 锑--硅相图
- 图5.20 锑--硅相图
- 图5.21 锡--硅相图
- 钽--硅相图
- 锡--硅相图
- 钛--硅相图
- 图5.22 钽--硅相图
- 钨--硅相图
- 图5.23 钛--硅相图
- 图5.24 钨--硅相图
- 5.2.其它常用二元相图
- 图5.25 银--金相图
- 银--金相图
- 图5.26 银--铜相图
- 银--铜相图
- 图5.27 银--镍相图
- 银--镍相图
- 图5.28 银--铅相图
- 银--铅相图
- 图5.29 银--锑相图
- 银--锑相图
- 银--锡相图
- 图5.30 银--锡相图
- 铝--金相图
- 图5.31 铝--金相图
- 铝--镍相图
- 图5.32 铝--镍相图
- 砷--铋相图
- 图5.33 砷--铋相图
- 金--铋相图
- 图5.34 金--铋相图
- 金--镓相图
- 图5.35 金--镓相图
- 图5.36 金--镍相图
- 金--镍相图
- 图5.37 金--钯相图
- 金--钯相图
- 图5.38 金--锑相图
- 金--锑相图
- 钼--镍相图
- 图5.39 钼--镍相图
- 图5.40 镍--锡相图
- 图5.41 铅--锑相图
- 铅--锑相图
- 铅-锡相图
- 图5.42 铅--锡相图
- 图5.44 氧化钙--五氧化二磷相图
- 氧化钙--五氧化二磷相图
- 图5.43 三氧化二硼--氧化钠相图
- 三氧化硼-氧化钠相图
- 图5.45 三氧化二硼--二氧化硅相图
- 5.3 合金PN结
- 三氧化二硼--二氧化硅相图
- 图5.46 PN结合金过程
- 图5.47 NN+合金过程
- 5.4 合金欧姆接触
- 5.5.1 PN结合金材料和欧姆接触合金材料
- 5.5 合金材料
- 表5.2 管芯焊接常用合金材料
- 表5.1 PN结和欧姆接触常用合金材料
- 5.6 合金温度(烧结温度)
- 5.5.2 管芯焊接常用合金材料
- 5.7 合金深度(结深)的计算
- 图5.48 铝--硅系铝片厚度t和结深x之比为温度函数
- 图5.49 合金位置及形状示意图
- 5.8 合金结深度的测量
- 表6.1 硅处镀镍的配方及方法
第六章 电镀与蒸发
- 6.1 电镀与化学镀
- 6.1.1 硅片镀镍
- 6.1.2 钼片镀镍
- 表6.4 镀铜液的配方及条件
- 表6.3 电镀的配方及方法
- 表6.2 化学镀的配方及方法
- 6.1.3 钼片镀银
- 表6.5 浸汞液的配方及条件
- 6.1.4 管壳及钢件镀镍
- 表6.6 碱性镀银液的配方及条件
- 表6.7 电解去油的配方及方法
- 表6.9 镀铜液的配方及方法
- 表6.8 化学镀镍的配方及方法
- 表6.10 镀镍液的配方及方法
- 6.1.5 管壳及钢件镀铬
- 表6.11 化学镀铬液
- 表6.12 电镀铬液
- 图6.1 电子束蒸发装置
- 附表2.16 元素的理化特性表
- 6.2 蒸发
- 6.2.1 电子束蒸发
- 图6.2 真空蒸发装置
- 6.2.2 真空蒸发
- 表6.13 各种金属的蒸发温度
- 图6.4 沉积厚度与蒸发线圈尺寸的列线图解
- 图6.5 沉积厚度和每单位面积重量与蒸发线圈的列线图解
第七章 表面处理和保护
- 7.1 表面处理
- 7.1.1 磨角
- 图7.1 加偏压的磨角PN结
- 正斜角
- 图7.2 +6°角P+N结的电压分布
- 图7.3 P+N结沿N边斜面的电场
- 图7.4 正斜角P+N结最高表面电场和斜角关系
- 负斜角
- 图7.6 几种顷角的表面电场，距离从PN结向P边方向
- 图7.5 -6°角扩散结电压分布
- 7.1.2 化学腐蚀
- 图7.7 正、负斜角最大表面电场与斜角的关系
- 碱腐蚀法
- 图7.8 磨角的钻头
- 酸腐蚀法
- 7.2 表面保护
- 图7.9 溅射系统示意图
- 7.2.1 溅射二氧化硅保护膜
- (a)竖式； (b)卧式
- 图6.3 各种蒸发用的加热源
- 7.2.2 氢氟酸--硝酸系蒸气形成氧化保护膜
- 图7.10 氢氟酸-硝酸系蒸气处理的概要图
- 通常法
- 去湿法
- 图7.11 蒸汽处理时间和生成膜厚度
- 图7.12 蒸气处理时间和腐蚀量
- 图7.13 去湿法蒸气处理时间和生成膜厚度
- 图7.14 去湿法蒸气处理时间和腐蚀深度
- 7.2.3 表面保护涂敷物
- 图7.15 腐蚀速度和冷阱温度
- 8.1.2 现有的几种结构形式
- 8.1.1 管壳设计的一般要求
- 8.1 管壳的结构
第八章 管壳
- 表8.1 管壳结构的优缺点及在生产上的使用情况
- 图8.1 锡焊式元件结构图
- 图8.2 外压接(平板)式元件结构图
- 图8.3 内压表式元件结构图
- 8.2.1 底座
- 材料选择
- 8.2 管壳的另部件
- (a)可控元件；(b)整流元件
- 结构尺寸
- 表8.2 元件底座紫铜外形参考尺寸
- 图8.4 锡焊元件底座外形
- 8.2.2 内引线的断面积和形状
- 加工方法
- 表8.3 元件底座加工方法的优缺点比较
- 表8.4 阴极内裸铜引线导电断面积参考尺寸
- 表8.5 阴极内引线外形参考尺寸
- 图8.5 阴极内引线
- 表8.6 控制极内引线导电截面参考尺寸
- 表8.7 控制极内引线外形参考尺寸
- 8.2.3 外形线的断面积的形状
- 图8.6 元件控制极内引线外形
- 图8.7 阴极外引线
- 表8.8 阴极外引线裸铜线断面积参考尺寸
- 图8.8 控制极外引线
- 表8.9 阴极外引线外形参考尺寸
- 8.2.4 引入体
- 表8.10 控制极外引线裸铜线断面积参考尺寸
- 表8.11 控制极外引线外形参考尺寸
- 表8.12 引入体种类及其优缺点
- 图8.9 锡焊式结构玻璃与金属封接引入体外形
- 表8.13 锡焊式结构玻璃与金属封接引入体参考尺寸
- 表8.14 高铝氧瓷的化学组成
- 8.3 引入体金属与非金属的封接
- 材料处理
- 8.3.1 陶瓷与金属封接
- 8.3.2 玻璃与金属封接
- 陶瓷金属化及封接工艺
- 表8.15 陶瓷金属化及封接工艺
- 8.4 底座与引入体的封接
- 表8.16 玻璃与金属封接的材料处理及封接工艺
- 表8.17 各种密封工艺的特点、所需设备及优缺点
- 图9.1 热的等效电路
第九章 散热器
- 9.1 设计的一般考虑
- 表9.1 不同电流容量的散热面积参考值及冷却方式
- 9.2 材料的选择及加工
- 图9.2 10安培(自冷)硅整流元件散热器外形结构
第十章 硅功率元件的测试
- 图10.1 直流法测量伏安特性
- 图10.2 全动态法测量伏安特性
- 图10.3 半动态法测量伏安特性
- 图10.5 示波器法测量伏安特性
- 图10.4 峰值电压表测量伏安特性
- 图10.6 测量伏安特性原理线路
- 图10.7 光点跟踪法测量伏安特性
- 图10.8 测量正向电压降、结温升的原理线路
- 图10.9 温度与热敏电压降的关系直线
- 10.1 硅整流元件的测试
- 10.1.1 正向电压降及结温升的测量
- 结温升的测量
- 正向压降的测量
- 图10.10 测量正向电压降和结温升的串联式线路
- 图10.11 测量反和伏安特性的原理线路
- 10.1.2 反向伏安特性的测量
- 图10.12 具有硬特性的反向伏安特性
- 图10.13 具有软特性的反向伏安特性
- 图10.14 具有异常形状的反向伏安特性
- 10.2 硅可控整流元件的测试
- 图10.15 具有反向保护的反向伏安特性测试线路
- 10.2.1 正反向伏安特性的测量(阻断状态)
- 图10.16 硅可控元件伏安特性
- 触发线路
- 10.2.2 正向电压降及结温升的测量
- 图10.17 控制极触发电路
- 图10.18 硅可控整流元件开通时的伏安特性
- 10.2.3 控制特性的测量
- 热敏电流的选取
- 图10.20 测量维持电流的原理线路
- 图10.19 测量控制极触发电压、触发电流的原理线路
- 10.2.4 维持电流的测量
- 10.3 硅双向可控元件的测试
- 图10.23 硅双向可控元件的伏安特性
- 图10.22 硅双向可控元件的符号
- 图10.21 维持电流波形
- 10.3.1 伏安特性的测量
- 10.3.2 控制特性的测量
- 图10.27 3CT控制极触发电流、电压、维持电流测试线路
- 11.1 有机溶剂安全使用
第十一章 安技常识
- 表11.1 常用有机溶剂的灭火方法
- 表11.2 有机溶剂的中毒途径、症状及预防方法
- 11.2 酸和碱的安全使用及急救
- 11.2.1 酸和碱的安全使用
- 11.2.2 急救
- 11.3 砷及其它化合物中毒急救
- 11.4 气体的安全使用
- 11.4.1 气瓶标记
- 表11.3 气瓶与输送气体管道颜色、字样和字样颜色
- 表11.4 氢气与其它气体混合物的爆炸极限(与氢气的体积比)
- 11.4.2 氢气的安全使用
- 11.4.3 气瓶的安全使用
附录一 硅材料的选择
- 附1.1 型号的选择
- 附1.2 电阻率的选择
- 附1.3 少数载流子寿命的选择
- 附1.4 位错密度的选择
附录二 常用数学与理化常数
- 附2.1 常用理化常数
- 附2.1.1 度量单位换算表
- 附表2.1 长度单位换算表
- 附表2.2 面积换算表
- 附表2.3 体积换算表
- 附表2.4 角度换算表
- 附表2.5 速度换算表
- 附表2.6 压力换算表
- 附表2.7 功与功率换算表
- 附表2.8 质量换算表
- 附表2.9 常用温度刻度表
- 附表2.10 空气湿度表
- 附2.1.2 热电偶的温度--毫伏当量表
- 附表2.11 铂--铑10%铂90%热电偶的温度--毫伏当量表
- 附表2.12 铂--铑13%铂87%热电偶的毫伏--温度当量表
- 附表2.13 镍铬--镍铝热电偶的温度--毫伏当量表
- 附表2.14 铜--康铜热电偶的温度--毫伏当量表
- 附2.1.3 常遇到的物理量
- 附表2.15 常遇到的物理量
- 附2.1.4 各种元素的理化常数
- 附表2.19 各种常用数及其对数
- 附表2.18 电化序表
- 附2.2 常用数学表
- 附表2.21 自然对数表
- 附2.3 误差函数、余误差函数与余误差函数的积分
- 附表2.22 误差函数表
- 附表2.23 余误差函数的积分
- 附表2.20 四位常用对数表
- 附2.4 常用电工计算公式
- 附录三 2CZ硅整流元件技术条件
- 附录四 2CT硅可控整流元件技术条件
- 主要参考资料